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薄膜晶体管原理及应用(第2版)

作者：董承远

出版社：清华大学出版社出版时间：2023-04-01

开本：其他页数： 248

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版权信息
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薄膜晶体管原理及应用(第2版) 版权信息

ISBN：9787302627777
条形码：9787302627777 ; 978-7-302-62777-7
装帧：一般胶版纸
册数：暂无
重量：暂无
所属分类：
工业技术
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电工基础理论

薄膜晶体管原理及应用(第2版) 本书特色

本书是国内较早针对薄膜晶体管技术的教材。本书的读者定位是大专院校的本科生和研究生以及无平板显示产业界相关基础的工程师等。本书作者结合实际教学经验，在内容讲解顺序上另辟蹊径，按照从应用原理到器件物理再到工艺原理的顺序阐述。具体而言，首先从薄膜晶体管在平板显示的有源矩阵驱动中的应用原理讲起，并由此引出实际应用对TFT器件特性的基本要求；接着详细阐述薄膜晶体管相关的材料物理和器件物理，并由此确定TFT工艺的技术目标；*后，重点讲解薄膜晶体管阵列的单项工艺原理和工艺整合原理。本书以非晶硅/多晶硅TFT技术的相关原理作为主要阐述目标，作者在产业界的实际工作经验及TFT实际生产中的相关实务知识也多有涉及。此外，在本书的结尾处作者还根据自身的研究经验对当前正在研发的非晶氧化物薄膜晶体管技术以及TFT在非显示领域的实际应用前景进行了总结和展望。

薄膜晶体管原理及应用(第2版) 内容简介

作为薄膜晶体管(TFT)技术的入门教材，本书以非晶硅薄膜晶体管（a-Si TFT)和多晶硅薄膜晶体管(p-Si TFT)为例详细讲解了与TFT技术相关的材料物理、器件物理和制备工艺原理及其在平板显示中的应用原理等。本书共分7章。第1章简单介绍了薄膜晶体管的发展简史；第2章详细阐述了TFT在平板显示有源矩阵驱动中的应用原理；第3章深入讲解了薄膜晶体管相关的半导体、绝缘体和电极材料物理；第4章详细阐述了非晶硅TFT和多晶硅TFT器件物理的相关基础知识；第5章系统介绍了TFT制备的单项工艺原理；第6章仔细讲解了非晶硅TFT阵列和多晶硅TFT阵列工艺整合原理；第7章简单总结全书并展望了以a-IGZO TFT为代表的非晶氧化物薄膜晶体管技术的发展趋势。每章后附有习题，可供课堂练习或课后作业使用。本书适合于作为大学本科生和研究生相关课程的教材，也适合针对从事TFT技术相关工作的工程技术人员作为技术培训和在职进修的教材或参考书籍。

薄膜晶体管原理及应用(第2版) 目录

第1章绪论

1.1薄膜晶体管发展简史

1.2薄膜晶体管的技术分类及比较

1.3薄膜晶体管的应用简介

1.4本书的主要内容及架构

习题

参考文献

第2章平板显示的有源矩阵驱动

2.1平板显示简介

2.1.1显示技术的分类及特性指标

2.1.2平板显示的定义和分类

2.1.3液晶显示器件的基本原理

2.1.4有机发光二极管显示的基本原理

2．1．5电子纸显示的基本原理

2.2液晶显示的有源矩阵驱动

2.2.1液晶显示的静态驱动和无源矩阵驱动简介

2.2.2AMLCD像素电路的充放电原理

2.2.3AMLCD像素阵列的相关原理

2.2.4液晶显示有源矩阵驱动的特殊方法

2.2.5液晶显示有源矩阵驱动的技术要求

2.3有机发光二极管显示的有源矩阵驱动

2.3.1有机发光二极管显示的无源矩阵驱动简介

2.3.2有机发光二极管显示的有源矩阵驱动基本原理

2．3．3AMOLED电压型像素电路的补偿原理

2.3.4有机发光二极管显示的有源矩阵驱动技术要求

2．4电子纸显示的有源矩阵驱动

2．4．1电子纸显示的驱动波形

2．4．2电子纸显示的有源矩阵驱动技术要求

2．5平板显示外围驱动电路和SOG技术

2．5．1AMLCD外围驱动电路简介

2．5．2SOG技术基础简介

2．5．3GOA技术的基本原理

2.6本章小结

习题

参考文献

第3章薄膜晶体管材料物理

3.1非晶硅材料物理

3.1.1非晶体简介

3.1.2非晶硅材料结构

3.1.3非晶硅电学特性

3.2多晶硅材料物理

3.2.1多晶体简介

3.2.2多晶硅材料结构

3.2.3多晶硅电学特性

3.3薄膜晶体管绝缘层材料

3.3.1绝缘层介电特性

3.3.2绝缘层漏电特性

3.3.3氮化硅薄膜

3.3.4氧化硅薄膜

3.4薄膜晶体管电极材料

3.4.1导电材料简介

3.4.2TFT用铝合金薄膜

3.4.3ITO

3.5平板显示用玻璃基板简介

3．6柔性基板简介

3.7本章小结

习题

参考文献

第4章薄膜晶体管器件物理

4.1薄膜晶体管的器件结构

4.1.1薄膜晶体管的器件结构分类

4.1.2非晶硅薄膜晶体管器件结构的选择

4.1.3多晶硅薄膜晶体管器件结构的选择

4.2薄膜晶体管器件的操作特性及理论模型

4.2.1薄膜晶体管的操作特性

4.2.2薄膜晶体管的简单物理模型

4.2.3薄膜晶体管的精确物理模型

4.2.4薄膜晶体管的特性参数及提取方法

4.2.5薄膜晶体管操作特性的影响因素分析

4.3薄膜晶体管的稳定特性

4.3.1非晶硅薄膜晶体管的电压偏置稳定特性

4.3.2多晶硅薄膜晶体管的电压偏置稳定特性

4.3.3薄膜晶体管的环境效应

4．4薄膜晶体管的动态特性

4．4．1薄膜晶体管的瞬态特性

4．4．2薄膜晶体管的频率特性

4．4．3薄膜晶体管的噪声特性

4.5本章小结

习题

参考文献

第5章薄膜晶体管单项制备工艺

5.1成膜工艺

5.1.1磁控溅射

5.1.2等离子体化学气相沉积

5.2薄膜改性技术

5.2.1激光结晶化退火

5.2.2离子注入

5.3光刻工艺

5.3.1曝光工艺

5.3.2光刻胶涂覆与显影工艺

5.4刻蚀工艺

5.4.1湿法刻蚀

5.4.2干法刻蚀

5.5其他工艺

5.5.1洗净

5.5.2光刻胶剥离

5.5.3器件退火

5.6工艺检查

5.6.1自动光学检查

5.6.2断/短路检查

5.6.3阵列测试

5.6.4TEG测试

5.7本章小结

习题

参考文献

第6章薄膜晶体管阵列制备工艺整合

6.1AMLCD制备工艺概述

6.1.1阵列工程

6.1.2彩膜工程

6.1.3成盒工程

6.1.4模组工程

6.2非晶硅薄膜晶体管阵列基板制备工艺流程

6.2.15MASK aSi TFT工艺流程

6.2.24MASK aSi TFT工艺流程

6.3AMOLED制备工艺概述

6.3.1阵列工程

6.3.2OLED工程

6.3.3成盒工程和模组工程

6.4多晶硅薄膜晶体管阵列基板制备工艺流程

6.4.16MASK pSi TFT工艺流程

6.4.210MASK pSi TFT工艺流程

6.5阵列检查与修补

6．6柔性TFT背板的制备工艺

6．6．1柔性TFT沟道层材料的对比和选择

6．6．2柔性LTPS TFT制备工艺简介

6.7本章小结

习题

参考文献

第7章总结与展望

7.1全书内容总结

7.2薄膜晶体管技术发展展望

7．3薄膜晶体管在非显示领域的应用展望

参考文献

附录A物理常数表

附录B单位前缀一览表

附录C单晶硅材料特性参数一览表

附录D氮化硅与氧化硅材料特性参数一览表

附录E10MASK pSi TFT制备工艺流程

展开全部

薄膜晶体管原理及应用(第2版) 作者简介

董承远上海交通大学电子信息与电气工程学院电子工程系副教授，主要研究方向为新型薄膜晶体管器件，及其在显示、传感和存储领域的应用等。2003年7月毕业于上海交通大学材料科学与工程学院，获工学博士学位。2003—2008年先后在上海广电NEC、昆山龙腾光电和上海天马等国内几家主要平板显示企业从事与TFT背板技术相关的工艺开发、产品设计和新技术研发工作等；2008年年底加入上海交通大学至今；兼任SID北京分会显示技术培训委员会主席、显示制造技术委员会副主席，Micromachines期刊客座编辑等。主持或参与国家、地方政府和企业科研项目10余项，发表论文70余篇，申请发明专利10余项，编著教材1部。

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