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改性锗半导体物理

改性锗半导体物理

出版社:西安电子科技大学出版社出版时间:2020-12-01
开本: 26cm 页数: 106页
本类榜单:自然科学销量榜
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改性锗半导体物理 版权信息

  • ISBN:9787560659510
  • 条形码:9787560659510 ; 978-7-5606-5951-0
  • 装帧:一般胶版纸
  • 册数:暂无
  • 重量:暂无
  • 所属分类:>

改性锗半导体物理 本书特色

可作为高等院校微电子学与固体电子学专业研究生的参考书

改性锗半导体物理 内容简介

本书共7章, 包括Ge带隙类型转变理论、改性锗半导体能带与迁移率理论、改性锗能带调制理论、改性锗半导体光学特性理论以及改性锗MOS反型层能带与迁移率理论等。通过本书的学习, 可为读者以后学习改性锗器件物理奠定重要的理论基础。

改性锗半导体物理 目录

第1章 Ge带隙类型转变理论 1 1.1 Ge带隙类型转变建模 2 1.1.1 Ge半导体应变张量 2 1.1.2 Ge半导体导带形变势 5 1.2 Ge带隙类型转变规律 6 1.2.1 仅应力作用 6 1.2.2 合金化作用 11 1.2.3 应力与合金化共作用 14 1.3 本章小结 15 习题 16 第2章 PDGe改性半导体能带结构 17 2.1 PDGe价带形变势理论 17 2.2 PDGe能带E-k关系模型 19 2.2.1 PDGe导带E-k关系 19 2.2.2 PDGe价带E-k关系 20 2.3 PDGe能带结构模型 25 2.3.1 导带结构模型 25 2.3.2 价带结构模型 26 2.4 本章小结 30 习题 31 第3章 DRGe1-xSnx和DBTSGe1-xSnx改性半导体能带结构 32 3.1 DRGe1-xSnx和DBTSGe1-xSnx 能带E-k关系模型 32 3.2 DRGe1-xSnx能带结构模型 34 3.2.1 DRGe1-xSnx导带、价带结构模型 35 3.2.2 DRGe1-xSnx载流子有效质量模型 37 3.3 DBTSGe1-xSnx能带结构模型 41 3.3.1 DBTSGe1-xSnx Γ点处能级 41 3.3.2 DBTSGe1-xSnx导带、价带结构模型 43 3.3.3 DBTSGe1-xSnx载流子有效质量 48 3.4 本章小结 52 习题 52 第4章 DRGe1-xSnx和PDGe能带调制 54 4.1 DRGe1-xSnx禁带宽度调制 54 4.1.1 DRGe1-xSnx0°单轴应力禁带宽度调制 55 4.1.2 DRGe1-xSnx45°单轴应力禁带宽度调制 57 4.2 PDGe禁带宽度调制 58 4.2.1 改性锗 0°单轴应力禁带宽度调制 58 4.2.2 改性锗 45°单轴应力禁带宽度调制 61 4.3 DRGe1-xSnx和PDGe PL谱 62 4.4 本章小结 65 习题 65 第5章 DRGe1-xSnx和PDGe载流子迁移率 67 5.1 DRGe1-xSnx载流子散射机制 67 5.2 DRGe1-xSnx载流子迁移率 70 5.3 PDGe载流子散射与迁移率 74 5.4 本章小结 76 习题 76 第6章 改性锗半导体的光学特性 78 6.1 改性锗导带载流子统计分布模型 78 6.2 改性锗半导体注入载流子复合 82 6.2.1 Ge中注入载流子复合方式 82 6.2.2 注入非平衡载流子寿命模型 83 6.3 改性锗半导体的内量子效率模型 87 6.4 改性锗半导体折射率模型 92 6.5 本章小结 94 习题 94 第7章 DRGe1-xSnx和PDGe MOS反型层能带与迁移率 95 7.1 改性锗 MOS反型层能带理论基础 95 7.2 DRGe1-xSnxMOS反型层能带与迁移率 97 7.3 PDGe MOS反型层能带与迁移率 99 7.4 本章小结 105 习题 105 参考文献 106
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