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图解入门——功率半导体基础与工艺精讲(原书第3版) 版权信息
- ISBN：9787111737964
- 条形码：9787111737964 ; 978-7-111-73796-4
- 装帧：平装-胶订
- 册数：暂无
- 重量：暂无
- 所属分类：>>
图解入门——功率半导体基础与工艺精讲(原书第3版) 本书特色
当前IGBT/SiC/GaN的研究进展及未来趋势探析
借鉴日本功率半导体制造的经验
剖析从水银整流器进化到IGBT的原因
兼顾高电压与高速度
脱碳社会与功率半导体
实现快速高效充电的SiC逆变器
为何GaN比SiC性能更优秀/6英寸SiC量产/4英寸GaN实证
日本半导体专家佐藤淳一从业30多年积淀
图解入门——功率半导体基础与工艺精讲(原书第3版) 内容简介
本书以图解的方式深入浅出地讲述了功率半导体制造工艺的各个技术环节。全书共分为11章，分别是：功率半导体的全貌、功率半导体的基本原理、各种功率半导体的原理和作用、功率半导体的用途与市场、功率半导体的分类、用于功率半导体的硅片、功率半导体制造工艺的特点、功率半导体生产企业介绍、硅基功率半导体的发展、挑战硅极限的碳化硅与氮化镓、功率半导体开拓的碳减排时代。 本书适合与半导体业务相关的人士、准备涉足半导体领域的人士、对功率半导体感兴趣的职场人士和学生阅读。
图解入门——功率半导体基础与工艺精讲(原书第3版) 目录
前言
词语表述和阅读方法说明
第1章 功率半导体的全貌/
1-1功率半导体到底是什么/
1-2把功率半导体比作人的身体/
1-3身边的功率半导体/
1-4电子信息产业中功率半导体的定位/
1-5半导体器件中的功率半导体/
1-6晶体管构造的差异/
第2章 功率半导体的基本原理/
2-1半导体的基本原理/
2-2关于PN结/
2-3晶体管的基本原理/
2-4双极型晶体管的基本原理/
2-5MOS晶体管的基本原理/
2-6功率半导体的历史回顾/
2-7功率型MOSFET的登场/
专栏：单面与双面/
2-8双极型晶体管与MOSFET的结合——IGBT的登场/
2-9信号转换/
第3章 各种功率半导体的原理和作用/
3-1单向导通的二极管/
3-2大电流双极型晶体管/
3-3双向晶闸管/
3-4具有高速开关特性的功率型MOSFET/
3-5环保时代的IGBT/
3-6功率半导体课题的探索/
第4章 功率半导体的用途与市场/
4-1功率半导体的市场规模/
4-2电力基础设施与功率半导体/
4-3交通工具与功率半导体/
4-4汽车与功率半导体/
4-5办公与功率半导体/
4-6家用电器与功率半导体/
第5章 功率半导体的分类/
5-1按用途分类/
5-2按材料分类/
5-3按构造、原理分类/
5-4从额定参数看功率半导体/
第6章 用于功率半导体的硅片/
6-1硅片是什么/
6-2硅片的制造方法与差异/
6-3FZ硅晶体的特点/
6-4FZ硅片为何重要/
6-5硅材料的局限/
第7章 功率半导体制造工艺的特点/
7-1功率半导体与集成电路的区别/
7-2器件构造的研究/
7-3外延生长法的广泛应用/
7-4正反面曝光工艺/
专栏：关于校准器的回忆/
7-5反面杂质激活/
7-6晶圆减薄工艺/
7-7后段工艺与前段工艺的差异/
7-8切割工艺的小差异/
7-9芯片键合工艺的特点/
7-10引线键合使用更宽的引线/
7-11封装材料的不同/
第8章 功率半导体生产企业介绍/
8-1摩尔定律路线图走到尽头/
专栏：路线图就是领跑者/
8-2气势高涨的“日之丸”功率半导体/
8-3保持垂直统合模式的综合性电气企业/
8-4专业企业如何生存/
8-5欧洲生产企业是垂直统合模式吗/
专栏：以创始人名字命名的公司/
8-6美国企业的动向/
第9章 硅基功率半导体的发展/
9-1功率半导体的时代/
9-2IGBT所要求的性能/
9-3穿通与非穿通型IGBT/
9-4场截止型IGBT的登场/
9-5IGBT的发展趋势探索/
9-6功率半导体在智能功率模块（IPM）中的进展/
9-7冷却与功率半导体/
第10章 挑战硅极限的碳化硅与氮化镓/
10-18英寸碳化硅晶圆的出现/
10-2碳化硅晶圆的制造方法/
10-3碳化硅的优点与研究课题有哪些/
10-4实用性不断提升的碳化硅晶片/
10-5氮化镓晶圆的难题——异质外延/
10-6氮化镓的优点与挑战/
10-7氮化镓常闭型器件的挑战/
10-8晶圆生产企业的动向/
专栏：时代总是在循环/
第11章 功率半导体开拓的碳减排时代/
11-1碳减排时代与功率半导体/
11-2对可再生能源而言不可或缺的功率半导体/
11-3智能电网与功率半导体/
11-4电动汽车（EV）与功率半导体/
11-5 21世纪交通基础设施与功率半导体/
11-6跨领域的功率半导体技术令人期待/
专栏：基础材料和核心器件/
参考文献/
词语表述和阅读方法说明
第1章 功率半导体的全貌/
1-1功率半导体到底是什么/
1-2把功率半导体比作人的身体/
1-3身边的功率半导体/
1-4电子信息产业中功率半导体的定位/
1-5半导体器件中的功率半导体/
1-6晶体管构造的差异/
第2章 功率半导体的基本原理/
2-1半导体的基本原理/
2-2关于PN结/
2-3晶体管的基本原理/
2-4双极型晶体管的基本原理/
2-5MOS晶体管的基本原理/
2-6功率半导体的历史回顾/
2-7功率型MOSFET的登场/
专栏：单面与双面/
2-8双极型晶体管与MOSFET的结合——IGBT的登场/
2-9信号转换/
第3章 各种功率半导体的原理和作用/
3-1单向导通的二极管/
3-2大电流双极型晶体管/
3-3双向晶闸管/
3-4具有高速开关特性的功率型MOSFET/
3-5环保时代的IGBT/
3-6功率半导体课题的探索/
第4章 功率半导体的用途与市场/
4-1功率半导体的市场规模/
4-2电力基础设施与功率半导体/
4-3交通工具与功率半导体/
4-4汽车与功率半导体/
4-5办公与功率半导体/
4-6家用电器与功率半导体/
第5章 功率半导体的分类/
5-1按用途分类/
5-2按材料分类/
5-3按构造、原理分类/
5-4从额定参数看功率半导体/
第6章 用于功率半导体的硅片/
6-1硅片是什么/
6-2硅片的制造方法与差异/
6-3FZ硅晶体的特点/
6-4FZ硅片为何重要/
6-5硅材料的局限/
第7章 功率半导体制造工艺的特点/
7-1功率半导体与集成电路的区别/
7-2器件构造的研究/
7-3外延生长法的广泛应用/
7-4正反面曝光工艺/
专栏：关于校准器的回忆/
7-5反面杂质激活/
7-6晶圆减薄工艺/
7-7后段工艺与前段工艺的差异/
7-8切割工艺的小差异/
7-9芯片键合工艺的特点/
7-10引线键合使用更宽的引线/
7-11封装材料的不同/
第8章 功率半导体生产企业介绍/
8-1摩尔定律路线图走到尽头/
专栏：路线图就是领跑者/
8-2气势高涨的“日之丸”功率半导体/
8-3保持垂直统合模式的综合性电气企业/
8-4专业企业如何生存/
8-5欧洲生产企业是垂直统合模式吗/
专栏：以创始人名字命名的公司/
8-6美国企业的动向/
第9章 硅基功率半导体的发展/
9-1功率半导体的时代/
9-2IGBT所要求的性能/
9-3穿通与非穿通型IGBT/
9-4场截止型IGBT的登场/
9-5IGBT的发展趋势探索/
9-6功率半导体在智能功率模块（IPM）中的进展/
9-7冷却与功率半导体/
第10章 挑战硅极限的碳化硅与氮化镓/
10-18英寸碳化硅晶圆的出现/
10-2碳化硅晶圆的制造方法/
10-3碳化硅的优点与研究课题有哪些/
10-4实用性不断提升的碳化硅晶片/
10-5氮化镓晶圆的难题——异质外延/
10-6氮化镓的优点与挑战/
10-7氮化镓常闭型器件的挑战/
10-8晶圆生产企业的动向/
专栏：时代总是在循环/
第11章 功率半导体开拓的碳减排时代/
11-1碳减排时代与功率半导体/
11-2对可再生能源而言不可或缺的功率半导体/
11-3智能电网与功率半导体/
11-4电动汽车（EV）与功率半导体/
11-5 21世纪交通基础设施与功率半导体/
11-6跨领域的功率半导体技术令人期待/
专栏：基础材料和核心器件/
参考文献/
展开全部
图解入门——功率半导体基础与工艺精讲(原书第3版) 作者简介
佐藤淳一，毕业于京都大学工学研究科，并获得硕士学位。1978年开始就职于东京电气化学工业株式会社（现TDK），1982年开始就职于索尼公司。一直从事半导体和薄膜器件相关工艺的研究开发工作。在此期间，参与创建半导体技术公司，担任长崎大学兼职讲师、行业协会委员等职位，同时也是应用物理学会员。
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