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半导体器件电子学 版权信息
- ISBN：7505379623
- 条形码：9787505379626 ; 978-7-5053-7962-6
- 装帧：简裝本
- 册数：暂无
- 重量：暂无
- 所属分类：>
半导体器件电子学 本书特色
作为我国信息产业的专业科技出版社，我们始终关注全球电子信息技术的发展方向，始终把引进国外优秀电子与通信信息技术教材和专业书籍放在我们工作的重要位置上。在2000年至2001年间，我社先后 从世界著名出版公司引进出版了40余种教材，形成一套“国外计算机科学教材系列”在全国高校以及科研部门中受到了欢迎和好评，得到了计算机领域的广大教师与科研工作者的充分肯定。
半导体器件电子学 内容简介
全书分5章，内容包括现代电子学基础、半导体体特性、PN结、双极结型晶体管（BJT）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）等半导体器件电子学中*基本、*经典的内容。从电荷、电场开始，循序渐渐地讲解半导体体特性、器件理论，*后深入分析两类*基本的晶体管（BJT和MOSFET）并对其性能作比较，本书还特别强调SPICE分析方法。这些内容和讲述方法在国内同类书籍中并不多见。
本书在正式出版之间，作者已用它在美国明尼苏达大学电机工程系讲授多年。书中吸收了作者的教学经验及学生们的意见，内容精心安排，文字叙述简洁，公式推导准确易懂，图例说明清晰，并包含大量的习题解答，使本书非常适用于教学；每章后面的小结、复习要点与习题便于读者更好地理解、掌握有关的基本概念，并能将其灵活运用到工程实践中。
半导体器件电子学 目录
第1章 现代电子学基础
第2章 半导体体特性
第3章 PN结
第4章 双极结型晶体管（BJT）
第5章 金属氧化物半导体效应晶体管
第2章 半导体体特性
第3章 PN结
第4章 双极结型晶体管（BJT）
第5章 金属氧化物半导体效应晶体管
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