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硅基异质结太阳电池物理与器件 版权信息
- ISBN：9787030415141
- 条形码：9787030415141 ; 978-7-03-041514-1
- 装帧：一般胶版纸
- 册数：暂无
- 重量：暂无
- 所属分类：>>
硅基异质结太阳电池物理与器件 本书特色
《硅基异质结太阳电池物理与器件》在综述高效晶体硅太阳电池技术的基础上引出硅基异质结太阳电池，首先简单概括了半导体异质结基本知识和与异质结太阳电池相关的表征与测试手段，然后系统阐述了非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的制备、涉及的基本物理问题和模拟研究，*后介绍了新结构硅基异质结太阳电池的研究进展，是国内**本全面反映硅基异质结太阳电池研究和技术进展的学术著作。
硅基异质结太阳电池物理与器件 内容简介
《硅基异质结太阳电池物理与器件》可作为高等院校的半导体材料与器件、光电子和光学工程等相关专业师生的参考用书，也可供从事太阳能光伏及相关技术领域的研发和工程技术人员参考。
硅基异质结太阳电池物理与器件 目录
序
前言
第1章绪论——高效晶体硅和异质结太阳电池
1.1 太阳和太阳能
1.2 太阳电池
1.3 晶体硅太阳电池的结构
1.4 晶体硅太阳电池的效率分析
1.5 高效晶体硅太阳电池介绍
1.5.1 钝化发射极太阳电池
1.5.2 氧化铝钝化的太阳电池
1.5.3 选择性发射极太阳电池
1.5.4 mwt太阳电池
1.5.5 n型晶体硅太阳电池
1.5.6 ibc太阳电池
1.6 非晶硅／晶体硅异质结太阳电池
1.6.1 hit太阳电池的结构与特点
1.6.2 获得高效率hit太阳电池的方法
1.6.3 hit太阳电池的效率进展
1.6.4 非晶硅／晶体硅异质结太阳电池的其他单位研发情况
1.7 本书的安排
参考文献
第2章半导体异质结基本知识
2.1 异质结基本概念
2.1.1 理想异质结的能带图
2.1.2 反型异质结的主要公式
2.1.3 异质结中的界面态
2.1.4 有界面态的异质结能带图
2.2 异质结的伏安特性
2.2.1 尖峰势垒高度的影响因素
2.2.2 理想突变异质结的伏安特性
2.2.3 有界面态的异质结的伏安特性
2.3 异质结的注入特性
2.3.1 高注入特性
2.3.2 超注入特性
2.4 异质结的光电特性
2.4.1 反型异质结的光伏特性
2.4.2 反型异质结的光电流和光谱响应
2.5 晶体硅和非晶硅薄膜的基本物理参数
参考文献
第3章与异质结太阳电池相关的表征与测试
3.1 太阳电池的基本表征参数
3.1.1 太阳电池等效电路
3.1.2 太阳电池的基本参数
3.1.3 非晶硅／晶体硅异质结太阳电池的i-v曲线
3.1.4 太阳电池的温度系数
3.1.5 太阳电池的标准测试条件
3.2 太阳电池的光谱响应和量子效率
3.2.1 光谱响应
3.2.2 量子效率
3.3 少数载流子寿命及其测量
3.3.1 非平衡少数载流子
3.3.2 少数载流子寿命
3.3.3 少数载流子寿命对太阳电池性能的影响
3.3.4 少数载流子寿命的测量
3.4 薄膜的表征测试技术介绍
3.4.1 拉曼光谱
3.4.2 傅里叶变换红外吸收光谱
3.5 异质结太阳电池的电容效应及其i-v检测对策
3.5.1 p-n结的电容
3.5.2 电容效应对太阳电池i-v测试的影响
3.5.3 异质结太阳电池的i-v检测对策
参考文献
第4章非晶硅／晶体硅异质结太阳电池制备
4.1 非晶硅／晶体硅异质结太阳电池的结构
4.2 非晶硅／晶体硅异质结太阳电池的制作工序
4.3 硅片的湿化学处理
4.3.1 去损伤层
4.3.2 制绒
4.3.3 表面氧化层的去除和表面调控
4.4 非晶硅薄膜的沉积
4.4.1 硅薄膜沉积设备
4.4.2 本征非晶硅薄膜
4.4.3 掺杂非晶硅薄膜
4.4.4 非晶硅薄膜的光吸收
4.5 tco薄膜的沉积
4.5.1 tco薄膜的制备方法和设备
4.5.2 硅异质结太阳电池对tco薄膜的要求
4.5.3 tco薄膜在硅异质结太阳电池上的应用
4.6 电极制作
4.6.1 电极制作的方法
4.6.2 丝网印刷在硅异质结太阳电池上的应用
4.7 非晶硅／晶体硅异质结太阳电池的薄片化
4.7.1 硅片减薄对太阳电池的影响
4.7.2 薄型hit太阳电池
4.8 发射极在背面的硅异质结太阳电池
4.8.1 背发射极硅异质结太阳电池
4.8.2 背接触硅异质结太阳电池
4.9 非晶硅／晶体硅异质结太阳电池组件的应用
4.9.1 hit电池组件
4.9.2 hit双面组件
4.9.3 关于hit组件的pid
参考文献
第5章非晶硅／晶体硅异质结太阳电池中的物理问题
5.1 非晶硅／晶体硅异质结太阳电池的能带
5.1.1 非晶硅／晶体硅异质结太阳电池的能带图
5.1.2 非晶硅／晶体硅异质结的带阶
5.1.3 tco薄膜对非晶硅／晶体硅异质结能带的影响
5.2 非晶硅／晶体硅异质结太阳电池中的钝化机制
5.2.1 硅异质结太阳电池的开路电压和钝化
5.2.2 本征非晶硅的钝化
5.2.3 掺杂非晶硅的钝化
5.2.4 其他钝化方案
5.3 非晶硅／晶体硅异质结太阳电池的界面
5.3.1 本征非晶硅／掺杂非晶硅界面
5.3.2 掺杂非晶硅／tco薄膜界面
5.4 非晶硅／晶体硅异质结太阳电池中的电输运特性
5.4.1 非晶硅／晶体硅异质结电池中的电荷输运基本过程
5.4.2 电流-电压特性
5.5 结语
参考文献
第6章硅基异质结太阳电池的模拟
6.1 太阳电池模拟的基本原则
6.1.1 光学模拟
6.1.2 电学模拟
6.2 用于异质结太阳电池模拟的软件简介
6.2.1 afors-het软件简介
6.2.2 amps软件简介
6.3 非晶硅／晶体硅异质结太阳电池的模拟研究
6.3.1 以n型单晶硅为衬底的硅异质结太阳电池模拟
6.3.2 以p型单晶硅为衬底的硅异质结太阳电池模拟
6.4 ibc-shj太阳电池的二维模拟
6.4.1 模拟用ibc-shj太阳电池的基本结构
6.4.2 ibc-shj太阳电池的背面几何尺寸模拟优化
6.4.3 前表面钝化对ibc-shj太阳电池影响的模拟
6.4.4 背表面钝化和界面缺陷对ibc—shj太阳电池影响的模拟
6.5 新结构硅基异质结太阳电池的模拟研究
6.5.1 硅基同质一异质结太阳电池的模拟研究
6.5.2 纳米柱阵列硅异质结太阳电池的模拟
6.5.3 硅基金属化合物半导体异质结太阳电池的模拟
参考文献
第7章新型硅基异质结太阳电池
7.1 硅量子点／晶体硅异质结太阳电池
7.1.1 氧化硅基体中的硅量子点／晶体硅异质结电池
7.1.2 碳化硅基体中的硅量子点／晶体硅异质结电池
7.1.3 氮化硅基体中的硅量子点及异质结太阳电池
7.2 ⅱ-ⅵ族半导体／晶体硅异质结太阳电池
7.2.1 cdse／si异质结太阳电池
7.2.2 zno／si异质结太阳电池
7.3 ⅲ-ⅴ族半导体／晶体硅异质结太阳电池
7.3.1 gan／si异质结太阳电池
7.3.2 inas／si异质结太阳电池
7.4 碳／晶体硅异质结太阳电池
7.4.1 非晶碳／硅异质结太阳电池
7.4.2 cnt／si异质结太阳电池
7.4.3 石墨烯／硅太阳电池
7.5 新型硅基异质结太阳电池的展望
参考文献
索引
前言
第1章绪论——高效晶体硅和异质结太阳电池
1.1 太阳和太阳能
1.2 太阳电池
1.3 晶体硅太阳电池的结构
1.4 晶体硅太阳电池的效率分析
1.5 高效晶体硅太阳电池介绍
1.5.1 钝化发射极太阳电池
1.5.2 氧化铝钝化的太阳电池
1.5.3 选择性发射极太阳电池
1.5.4 mwt太阳电池
1.5.5 n型晶体硅太阳电池
1.5.6 ibc太阳电池
1.6 非晶硅／晶体硅异质结太阳电池
1.6.1 hit太阳电池的结构与特点
1.6.2 获得高效率hit太阳电池的方法
1.6.3 hit太阳电池的效率进展
1.6.4 非晶硅／晶体硅异质结太阳电池的其他单位研发情况
1.7 本书的安排
参考文献
第2章半导体异质结基本知识
2.1 异质结基本概念
2.1.1 理想异质结的能带图
2.1.2 反型异质结的主要公式
2.1.3 异质结中的界面态
2.1.4 有界面态的异质结能带图
2.2 异质结的伏安特性
2.2.1 尖峰势垒高度的影响因素
2.2.2 理想突变异质结的伏安特性
2.2.3 有界面态的异质结的伏安特性
2.3 异质结的注入特性
2.3.1 高注入特性
2.3.2 超注入特性
2.4 异质结的光电特性
2.4.1 反型异质结的光伏特性
2.4.2 反型异质结的光电流和光谱响应
2.5 晶体硅和非晶硅薄膜的基本物理参数
参考文献
第3章与异质结太阳电池相关的表征与测试
3.1 太阳电池的基本表征参数
3.1.1 太阳电池等效电路
3.1.2 太阳电池的基本参数
3.1.3 非晶硅／晶体硅异质结太阳电池的i-v曲线
3.1.4 太阳电池的温度系数
3.1.5 太阳电池的标准测试条件
3.2 太阳电池的光谱响应和量子效率
3.2.1 光谱响应
3.2.2 量子效率
3.3 少数载流子寿命及其测量
3.3.1 非平衡少数载流子
3.3.2 少数载流子寿命
3.3.3 少数载流子寿命对太阳电池性能的影响
3.3.4 少数载流子寿命的测量
3.4 薄膜的表征测试技术介绍
3.4.1 拉曼光谱
3.4.2 傅里叶变换红外吸收光谱
3.5 异质结太阳电池的电容效应及其i-v检测对策
3.5.1 p-n结的电容
3.5.2 电容效应对太阳电池i-v测试的影响
3.5.3 异质结太阳电池的i-v检测对策
参考文献
第4章非晶硅／晶体硅异质结太阳电池制备
4.1 非晶硅／晶体硅异质结太阳电池的结构
4.2 非晶硅／晶体硅异质结太阳电池的制作工序
4.3 硅片的湿化学处理
4.3.1 去损伤层
4.3.2 制绒
4.3.3 表面氧化层的去除和表面调控
4.4 非晶硅薄膜的沉积
4.4.1 硅薄膜沉积设备
4.4.2 本征非晶硅薄膜
4.4.3 掺杂非晶硅薄膜
4.4.4 非晶硅薄膜的光吸收
4.5 tco薄膜的沉积
4.5.1 tco薄膜的制备方法和设备
4.5.2 硅异质结太阳电池对tco薄膜的要求
4.5.3 tco薄膜在硅异质结太阳电池上的应用
4.6 电极制作
4.6.1 电极制作的方法
4.6.2 丝网印刷在硅异质结太阳电池上的应用
4.7 非晶硅／晶体硅异质结太阳电池的薄片化
4.7.1 硅片减薄对太阳电池的影响
4.7.2 薄型hit太阳电池
4.8 发射极在背面的硅异质结太阳电池
4.8.1 背发射极硅异质结太阳电池
4.8.2 背接触硅异质结太阳电池
4.9 非晶硅／晶体硅异质结太阳电池组件的应用
4.9.1 hit电池组件
4.9.2 hit双面组件
4.9.3 关于hit组件的pid
参考文献
第5章非晶硅／晶体硅异质结太阳电池中的物理问题
5.1 非晶硅／晶体硅异质结太阳电池的能带
5.1.1 非晶硅／晶体硅异质结太阳电池的能带图
5.1.2 非晶硅／晶体硅异质结的带阶
5.1.3 tco薄膜对非晶硅／晶体硅异质结能带的影响
5.2 非晶硅／晶体硅异质结太阳电池中的钝化机制
5.2.1 硅异质结太阳电池的开路电压和钝化
5.2.2 本征非晶硅的钝化
5.2.3 掺杂非晶硅的钝化
5.2.4 其他钝化方案
5.3 非晶硅／晶体硅异质结太阳电池的界面
5.3.1 本征非晶硅／掺杂非晶硅界面
5.3.2 掺杂非晶硅／tco薄膜界面
5.4 非晶硅／晶体硅异质结太阳电池中的电输运特性
5.4.1 非晶硅／晶体硅异质结电池中的电荷输运基本过程
5.4.2 电流-电压特性
5.5 结语
参考文献
第6章硅基异质结太阳电池的模拟
6.1 太阳电池模拟的基本原则
6.1.1 光学模拟
6.1.2 电学模拟
6.2 用于异质结太阳电池模拟的软件简介
6.2.1 afors-het软件简介
6.2.2 amps软件简介
6.3 非晶硅／晶体硅异质结太阳电池的模拟研究
6.3.1 以n型单晶硅为衬底的硅异质结太阳电池模拟
6.3.2 以p型单晶硅为衬底的硅异质结太阳电池模拟
6.4 ibc-shj太阳电池的二维模拟
6.4.1 模拟用ibc-shj太阳电池的基本结构
6.4.2 ibc-shj太阳电池的背面几何尺寸模拟优化
6.4.3 前表面钝化对ibc-shj太阳电池影响的模拟
6.4.4 背表面钝化和界面缺陷对ibc—shj太阳电池影响的模拟
6.5 新结构硅基异质结太阳电池的模拟研究
6.5.1 硅基同质一异质结太阳电池的模拟研究
6.5.2 纳米柱阵列硅异质结太阳电池的模拟
6.5.3 硅基金属化合物半导体异质结太阳电池的模拟
参考文献
第7章新型硅基异质结太阳电池
7.1 硅量子点／晶体硅异质结太阳电池
7.1.1 氧化硅基体中的硅量子点／晶体硅异质结电池
7.1.2 碳化硅基体中的硅量子点／晶体硅异质结电池
7.1.3 氮化硅基体中的硅量子点及异质结太阳电池
7.2 ⅱ-ⅵ族半导体／晶体硅异质结太阳电池
7.2.1 cdse／si异质结太阳电池
7.2.2 zno／si异质结太阳电池
7.3 ⅲ-ⅴ族半导体／晶体硅异质结太阳电池
7.3.1 gan／si异质结太阳电池
7.3.2 inas／si异质结太阳电池
7.4 碳／晶体硅异质结太阳电池
7.4.1 非晶碳／硅异质结太阳电池
7.4.2 cnt／si异质结太阳电池
7.4.3 石墨烯／硅太阳电池
7.5 新型硅基异质结太阳电池的展望
参考文献
索引
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