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InAs/ALSB异质结构射频场效应晶体管技术 版权信息
- ISBN：9787561281253
- 条形码：9787561281253 ; 978-7-5612-8125-3
- 装帧：一般胶版纸
- 册数：暂无
- 重量：暂无
- 所属分类：>
InAs/ALSB异质结构射频场效应晶体管技术 内容简介
本书共七章，内容包括绪论、InAs/AlSb异质结外延材料特性及工艺、InAs/AlSb HEMTs器件特性及工艺、InAs/AlSb MOS-HEMTs基础研究、InAs/AlSb HEMTs器件模型、InAs/AlSb HEMTs低噪声放大器设计以及总结和展望。
InAs/ALSB异质结构射频场效应晶体管技术 目录
**章绪论·1.1引言1.2InAs/A1Sb HEMTs器件特点1.3InAs/A1Sb HEMTs射频器件研究状况1.4对InAs/A1Sb HEMTs的研究存在的问题1.5本书主要内容安排章 InAs/AISb异质结外延材料特及工艺2.1异质结能带结构…2.2InAs/A1Sb异质结外延材料特2.3InAs/AlSb异质结外延材料生长第三章 InAs/AISb HEMTs器件特及工艺3.1器件结构及工作原理·3.2 InAs/A1Sb HEMTs器件特及机理3.3 InAs/A1Sb HEMTs器件能…3.4 InAs/A1Sb HEMTs制备工艺研究3.5测试结果分析·第四章 InAs/AISb MOS-HEMTs基础研究4.1 high-k/InAlAs MOS电容隔离栅4.2 high-k/InAlAs MOS电容工艺及特…4.3 InAs/AISb MOS-HEMTs器件物理第五章 InAs/AISb HEMTs器件模型5.1小信号等效电路模型理论5.2 InAs/AlSb HEMTs器件小信号等效电路模型5.3InAs/A1Sb HEMTs噪声模型·5.4 InAs/AISb HEMTs器件碰撞离化效应模型表征第六章 InAs/AISb HEMTs低噪声放大器设计6.1 LNA关键指标…6.2匹配理论·6.3常见的LNA电路结构6.4 Ku波段InAs/AlSb HEMTs LNA设计…第七结和展望…7.结7.2展望参考文献·
展开全部
InAs/ALSB异质结构射频场效应晶体管技术 作者简介
关赫，博士，硕士研究生导师。毕业于西安电子科技大学，长期从事微电子集成电路方向研究，主持多项重量及省部级项目，发表论文10余篇，申请专利10余项，具有丰富的研发管理经验。
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