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石墨烯的化学气相沉积生长方法 版权信息
- ISBN：9787562864080
- 条形码：9787562864080 ; 978-7-5628-6408-0
- 装帧：一般胶版纸
- 册数：暂无
- 重量：暂无
- 所属分类：>>
石墨烯的化学气相沉积生长方法 本书特色
石墨烯是碳的同素异形体大家族的又一个传奇，也是当今横跨学术界和产业界的超级明星，几乎到了家喻户晓、妇孺皆知的程度。当然，石墨烯是当之无愧的。作为由单层碳原子构成的蜂窝状二维原子晶体材料，石墨烯拥有无与伦比的特性。理论上讲，它是导电性和导热性较好的材料，也是理想的轻质高强材料。正因如此，一经问世便吸引了全球范围的关注。石墨烯有可能创造一个全新的产业，石墨烯产业将成为未来全球高科技产业竞争的高地，这一点已经成为国内外学术界和产业界的共识。 从2004年至今，已经有了近十六年的历史沉淀。无论是石墨烯的基础研究，还是石墨烯材料的产业化实践，人们都有了更多的一手材料，更有可能对石墨烯材料有一个全方位套丛书出的、科学的、理性的认识。总结历史，是为了更好地走向未来。对于新兴的石墨烯产业来说，战略前沿新材料——石墨烯出版工程的出版意义也是不言而喻的。事实上，国内外已经出版了数十部石墨烯相关书籍，其中不乏经典性著作。本丛书的定位有所不同，希望能够全面总结石墨烯相关的知识积累，反映石墨烯领域的国内外前沿研究进展，展示石墨烯新材料的产业化现状与发展前景，尤其希望能够充分体现国人对石墨烯领域的贡献。 本丛书共包括22分册，执笔作者20余位，都是石墨烯领域的重量级学者、专家，因此可以从源头上保障丛书的专业性和科学性。丛书分五大部分，囊括了从石墨烯的基本性质和表征技术，到石墨烯材料的制备方法及其在不同领域的应用，以及石墨烯产品的计量检测标准等全方位的知识总结。同时，两份产业研究报告详细阐述了世界各国的石墨烯产业发展现状和未来发展趋势。除此之外，丛书还为广大石墨烯迷们提供了一份科普读物《有问必答：石墨烯的魅力》，针对广泛征集到的石墨烯相关问题答疑解惑，去伪求真。 本丛书的内容涵盖石墨烯新材料的方方面面，每个分册也相对独立，具有很强的系统性、知识性、专业性和即时性，凝聚着各位作者的研究心得、智慧和心血，供不同需求的广大读者参考使用。希望丛书的出版对中国的石墨烯研究和中国石墨烯产业的健康发展有所助益。 1. “战略前沿新材料——石墨烯出版工程” “十三五”国家重点出版物出版规划项目/国家出版基金丛书由石墨烯的基本性质与表征技术、石墨烯的制备技术和计量标准、石墨烯的分类应用、石墨烯的发展现状报告、石墨烯科普知识等五大部分共22分册构成，本书为第05分册。 2. 丛书由我国石墨烯研究领域的主要开拓者及我国石墨烯发展的重要推动者、北京大学教授、北京石墨烯研究院创院院长刘忠范院士亲自策划并担任总主编。 3.全书采用80克雅质纸，彩色印刷，清晰直观地展现了石墨烯的结构、模拟及表征结果。
石墨烯的化学气相沉积生长方法 内容简介
本书围绕化学气相沉积方法制备石墨烯及其研究现状展开,重点关注化学气相沉积生长石墨烯方法的基本原理、反应热力学和动力学、生长过程的影响因素和控制方法等,并系统介绍了该领域的发展现状及代表性的研究工作。本书为读者提供基础性、系统性和指南性的石墨烯化学气相沉积生长知识,展示新研究成果,可供初涉利用化学气相沉积方法制备石墨烯的研究生、科研人员、相关科技工作者使用,也可作为有志于从事石墨烯生长研究人员的实验研究指南。
石墨烯的化学气相沉积生长方法 目录
第 1章 碳的成键结构与同素异形体001
1.1 碳的成键原理与成键结构003
1.1.1 非共轭σ 键与π 键的形成003
1.1.2 离域π 键006
1.2 碳的同素异形体009
1.2.1 金刚石009
1.2.2 石墨与石墨烯010
1.2.3 富勒烯016
1.2.4 碳纳米管018
1.2.5 石墨炔020
1.2.6 长链卡宾023
1.3 同素异形体间的相互转换023
参考文献027
第章 石墨烯生长的基本概念031
2.1 化学气相沉积技术033
2.1.1 基本定义033
2.1.2 实验条件和分类方法034
2.2 碳源裂解反应042
2.2.1 气相碳源裂解过程042
2.2.2 生长衬底表面的碳源裂解过程045
2.3 生长动力学047
2.3.1 金属衬底溶碳能力的影响047
2.3.2 生长基元步骤048
2.3.3 生长边缘结构061
2.4 氢气的作用068
参考文献075
第3章 石墨烯在金属衬底上的催化生长079
3.1 铜表面上的生长087
3.1.1 表面自限制生长087
3.1.2 双层石墨烯的生长方法095
3.2 镍表面上的生长100
3.2.1 偏析生长100
3.2.2 层数控制107
3.3 其他金属表面上的生长111
3.3.1 ⅠB ⅡB 族过渡金属上石墨烯的生长111
3.3.2 ⅧB 族过渡金属上石墨烯的生长112
3.3.3 ⅣB ⅥB 族过渡金属上石墨烯的生长115
3.3.4 ⅦB 族过渡金属上石墨烯的生长116
3.4 合金表面上的生长117
3.4.1 Cu Ni合金118
3.4.2 Ni Mo合金120
3.4.3 Au Ni和Pd Co合金122
3.5 晶面取向对生长的影响123
3.5.1 晶面对石墨烯生长速度的影响124
3.5.2 晶面对石墨烯取向的影响126
3.5.3 晶面对石墨烯形状的影响129
3.5.4 衬底晶面与石墨烯的相互作用131
3.6 褶皱的定义与形成机制132
3.6.1 热力学导致的本征涟漪132
3.6.2 化学气相沉积生长过程形成的褶皱134
3.6.3 转移过程导致的褶皱136
3.6.4 褶皱对石墨烯性质的影响137
3.6.5 无褶皱石墨烯的生长方法141
参考文献145
第4章 石墨烯在绝缘衬底上的生长151
4.1 绝缘衬底的特殊性153
4.1.1 碳源热裂解154
4.1.2 传质和表面反应过程155
4.2 绝缘衬底上的石墨烯生长方法159
4.2.1 热裂解生长方法159
4.2.2 等离子体增强化学气相沉积生长方法162
4.2.3 催化剂辅助生长法164
4.3 六方氮化硼表面生长石墨烯167
4.3.1 六方氮化硼表面生长石墨烯的意义167
4.3.2 六方氮化硼表面生长石墨烯的方法171
参考文献179
第5章 大单晶石墨烯的生长方法185
5.1 成核189
5.1.1 成核过程189
5.1.2 成核密度与成核势垒195
5.2 畴区拼接199
5.3 大单晶石墨烯的生长方法203
5.3.1 单一成核位点外延生长方法204
5.3.2 多点同取向成核的无缝拼接法216
参考文献223
第6章 超洁净石墨烯的制备方法227
6.1 CVD 生长过程中石墨烯的本征污染问题229
6.2 本征污染的成因238
6.2.1 气相反应的复杂性238
6.2.2 衬底表面上的碳化和石墨化过程242
6.3 直接生长法制备超洁净石墨烯247
6.3.1 泡沫铜助催化生长法249
6.3.2 含铜碳源助催化生长法253
6.4 后处理法制备超洁净石墨烯257
6.4.1 二氧化碳氧化刻蚀技术257
6.4.2 魔力粘毛辊技术261
参考文献264
第7章 掺杂石墨烯的生长方法267
7.1 石墨烯的掺杂类型269
7.2 单一元素掺杂272
7.2.1 氮掺杂272
7.2.2 硼掺杂280
7.2.3 其他元素掺杂285
7.3 多元素共掺杂288
7.3.1 硼氮共掺杂288
7.3.2 选区掺杂290
7.4 掺杂结构的调控294
参考文献299
第8章 石墨烯玻璃的CVD 生长方法303
8.1 玻璃的化学组成及其作为CVD 生长衬底的特殊性306
8.2 石墨烯玻璃的高温生长方法308
8.2.1 常压CVD 生长法308
8.2.2 低压CVD 生长法311
8.2.3 熔融床CVD 生长法313
8.3 石墨烯玻璃的PECVD 生长方法316
8.3.1 垂直取向石墨烯的PECVD 生长317
8.3.2 水平取向石墨烯的PECVD 生长319
8.4 石墨烯玻璃的规模化制备320
8.4.1 规模化制备装备320
8.4.2 规模化制备工艺322
8.5 石墨烯玻璃的应用展望323
参考文献327
第9章 粉体石墨烯的CVD 生长方法331
9.1 粉体石墨烯的常规制备方法334
9.1.1 氧化还原法334
9.1.2 液相剥离法335
9.1.3 其他方法335
9.2 粉体石墨烯的模板CVD 生长方法336
9.2.1 金属颗粒模板法336
9.2.2 非金属颗粒模板法338
9.2.3 复杂分级结构石墨烯的模板生长法342
9.3 粉体石墨烯的无模板CVD 生长方法348
9.3.1 微波等离子体辅助生长法348
9.3.2 电弧放电生长法349
9.4 粉体石墨烯的生长机制349
参考文献350
第 10章 泡沫石墨烯的制备方法353
10.1 泡沫石墨烯材料355
10.2 组装法制备泡沫石墨烯356
10.2.1 水热还原法356
10.2.2 化学还原法359
10.2.3 冷冻干燥法360
10.2.4 3D 打印法361
10.2.5 其他方法362
10.3 化学气相沉积法制备泡沫石墨烯364
10.3.1 模板法364
10.3.2 无模板法375
参考文献378
第 11章 石墨烯薄膜的规模化生长技术381
11.1 制备工艺384
11.1.1 批次制程384
11.1.2 卷对卷制程386
11.2 工业级别的制备装备388
11.2.1 热壁化学气相沉积388
11.2.2 冷壁化学气相沉积390
11.2.3 等离子体化学气相沉积393
11.3 批量制备的关键参数396
11.3.1 碳源396
11.3.2 腔体压力398
参考文献401
第 12章 转移技术405
12.1 聚合物辅助转移法407
12.2 电化学鼓泡法411
12.3 插层转移法415
12.4 机械剥离法418
参考文献421
索引424
1.1 碳的成键原理与成键结构003
1.1.1 非共轭σ 键与π 键的形成003
1.1.2 离域π 键006
1.2 碳的同素异形体009
1.2.1 金刚石009
1.2.2 石墨与石墨烯010
1.2.3 富勒烯016
1.2.4 碳纳米管018
1.2.5 石墨炔020
1.2.6 长链卡宾023
1.3 同素异形体间的相互转换023
参考文献027
第章 石墨烯生长的基本概念031
2.1 化学气相沉积技术033
2.1.1 基本定义033
2.1.2 实验条件和分类方法034
2.2 碳源裂解反应042
2.2.1 气相碳源裂解过程042
2.2.2 生长衬底表面的碳源裂解过程045
2.3 生长动力学047
2.3.1 金属衬底溶碳能力的影响047
2.3.2 生长基元步骤048
2.3.3 生长边缘结构061
2.4 氢气的作用068
参考文献075
第3章 石墨烯在金属衬底上的催化生长079
3.1 铜表面上的生长087
3.1.1 表面自限制生长087
3.1.2 双层石墨烯的生长方法095
3.2 镍表面上的生长100
3.2.1 偏析生长100
3.2.2 层数控制107
3.3 其他金属表面上的生长111
3.3.1 ⅠB ⅡB 族过渡金属上石墨烯的生长111
3.3.2 ⅧB 族过渡金属上石墨烯的生长112
3.3.3 ⅣB ⅥB 族过渡金属上石墨烯的生长115
3.3.4 ⅦB 族过渡金属上石墨烯的生长116
3.4 合金表面上的生长117
3.4.1 Cu Ni合金118
3.4.2 Ni Mo合金120
3.4.3 Au Ni和Pd Co合金122
3.5 晶面取向对生长的影响123
3.5.1 晶面对石墨烯生长速度的影响124
3.5.2 晶面对石墨烯取向的影响126
3.5.3 晶面对石墨烯形状的影响129
3.5.4 衬底晶面与石墨烯的相互作用131
3.6 褶皱的定义与形成机制132
3.6.1 热力学导致的本征涟漪132
3.6.2 化学气相沉积生长过程形成的褶皱134
3.6.3 转移过程导致的褶皱136
3.6.4 褶皱对石墨烯性质的影响137
3.6.5 无褶皱石墨烯的生长方法141
参考文献145
第4章 石墨烯在绝缘衬底上的生长151
4.1 绝缘衬底的特殊性153
4.1.1 碳源热裂解154
4.1.2 传质和表面反应过程155
4.2 绝缘衬底上的石墨烯生长方法159
4.2.1 热裂解生长方法159
4.2.2 等离子体增强化学气相沉积生长方法162
4.2.3 催化剂辅助生长法164
4.3 六方氮化硼表面生长石墨烯167
4.3.1 六方氮化硼表面生长石墨烯的意义167
4.3.2 六方氮化硼表面生长石墨烯的方法171
参考文献179
第5章 大单晶石墨烯的生长方法185
5.1 成核189
5.1.1 成核过程189
5.1.2 成核密度与成核势垒195
5.2 畴区拼接199
5.3 大单晶石墨烯的生长方法203
5.3.1 单一成核位点外延生长方法204
5.3.2 多点同取向成核的无缝拼接法216
参考文献223
第6章 超洁净石墨烯的制备方法227
6.1 CVD 生长过程中石墨烯的本征污染问题229
6.2 本征污染的成因238
6.2.1 气相反应的复杂性238
6.2.2 衬底表面上的碳化和石墨化过程242
6.3 直接生长法制备超洁净石墨烯247
6.3.1 泡沫铜助催化生长法249
6.3.2 含铜碳源助催化生长法253
6.4 后处理法制备超洁净石墨烯257
6.4.1 二氧化碳氧化刻蚀技术257
6.4.2 魔力粘毛辊技术261
参考文献264
第7章 掺杂石墨烯的生长方法267
7.1 石墨烯的掺杂类型269
7.2 单一元素掺杂272
7.2.1 氮掺杂272
7.2.2 硼掺杂280
7.2.3 其他元素掺杂285
7.3 多元素共掺杂288
7.3.1 硼氮共掺杂288
7.3.2 选区掺杂290
7.4 掺杂结构的调控294
参考文献299
第8章 石墨烯玻璃的CVD 生长方法303
8.1 玻璃的化学组成及其作为CVD 生长衬底的特殊性306
8.2 石墨烯玻璃的高温生长方法308
8.2.1 常压CVD 生长法308
8.2.2 低压CVD 生长法311
8.2.3 熔融床CVD 生长法313
8.3 石墨烯玻璃的PECVD 生长方法316
8.3.1 垂直取向石墨烯的PECVD 生长317
8.3.2 水平取向石墨烯的PECVD 生长319
8.4 石墨烯玻璃的规模化制备320
8.4.1 规模化制备装备320
8.4.2 规模化制备工艺322
8.5 石墨烯玻璃的应用展望323
参考文献327
第9章 粉体石墨烯的CVD 生长方法331
9.1 粉体石墨烯的常规制备方法334
9.1.1 氧化还原法334
9.1.2 液相剥离法335
9.1.3 其他方法335
9.2 粉体石墨烯的模板CVD 生长方法336
9.2.1 金属颗粒模板法336
9.2.2 非金属颗粒模板法338
9.2.3 复杂分级结构石墨烯的模板生长法342
9.3 粉体石墨烯的无模板CVD 生长方法348
9.3.1 微波等离子体辅助生长法348
9.3.2 电弧放电生长法349
9.4 粉体石墨烯的生长机制349
参考文献350
第 10章 泡沫石墨烯的制备方法353
10.1 泡沫石墨烯材料355
10.2 组装法制备泡沫石墨烯356
10.2.1 水热还原法356
10.2.2 化学还原法359
10.2.3 冷冻干燥法360
10.2.4 3D 打印法361
10.2.5 其他方法362
10.3 化学气相沉积法制备泡沫石墨烯364
10.3.1 模板法364
10.3.2 无模板法375
参考文献378
第 11章 石墨烯薄膜的规模化生长技术381
11.1 制备工艺384
11.1.1 批次制程384
11.1.2 卷对卷制程386
11.2 工业级别的制备装备388
11.2.1 热壁化学气相沉积388
11.2.2 冷壁化学气相沉积390
11.2.3 等离子体化学气相沉积393
11.3 批量制备的关键参数396
11.3.1 碳源396
11.3.2 腔体压力398
参考文献401
第 12章 转移技术405
12.1 聚合物辅助转移法407
12.2 电化学鼓泡法411
12.3 插层转移法415
12.4 机械剥离法418
参考文献421
索引424
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石墨烯的化学气相沉积生长方法 作者简介
刘忠范，物理化学家，北京大学化学与分子工程学院教授，中国科学院院士，发展中国家科学院院士， “万人计划”杰出人才。主要从事石墨烯等纳米碳材料研究，发表学术论文640余篇，出版专著、译著和科普著作6部，申请中国发明专利130余项。曾任国家攀登计划（B）、973计划、纳米重大研究计划项目首席科学家、国家自然科学基金“表界面纳米工程学”创新研究群体学术带头人。荣获国家自然科学二等奖、第八届纳米研究奖、北京大学“国华杰出学者奖”、宝钢优秀教师特等奖、中国化学会-阿克苏诺贝尔化学奖、北京市优秀教师等奖励。现任北京石墨烯研究院院长。
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