中图网文创礼盒,买2个减5元
欢迎光临中图网 请 | 注册
> >>
AN INTRODUCTION OF MICROELECTRONICS

AN INTRODUCTION OF MICROELECTRONICS

出版社:科学出版社出版时间:2017-01-01
开本: 32开 页数: 488
本类榜单:工业技术销量榜
中 图 价:¥85.0(7.2折) 定价  ¥118.0 登录后可看到会员价
加入购物车 收藏
运费6元,满69元免运费
?快递不能达地区使用邮政小包,运费14元起
云南、广西、海南、新疆、青海、西藏六省,部分地区快递不可达
本类五星书更多>

AN INTRODUCTION OF MICROELECTRONICS 版权信息

AN INTRODUCTION OF MICROELECTRONICS 本书特色

POD产品说明:
1. 本产品为按需印刷(POD)图书,实行先付款,后印刷的流程。您在页面购买且完成支付后,订单转交出版社。出版社根据您的订单采用数字印刷的方式,单独为您印制该图书,属于定制产品。
2. 按需印刷的图书装帧均为平装书(含原为精装的图书)。由于印刷工艺、彩墨的批次不同,颜色会与老版本略有差异,但通常会比老版本的颜色更准确。原书内容含彩图的,统一变成黑白图,原书含光盘的,统一无法提供光盘。
3. 按需印刷的图书制作成本高于传统的单本成本,因此售价高于原书定价。
4. 按需印刷的图书,出版社生产周期一般为15个工作日(特殊情况除外)。请您耐心等待。
5. 按需印刷的图书,属于定制产品,不可取消订单,无质量问题不支持退货。

AN INTRODUCTION OF MICROELECTRONICS 内容简介

《微电子学导论(英文版)》包括:半导体材料、半导体器件、微电子工艺及制造、以及IC设计等的基础和基本知识。《微电子学导论(英文版)》力图以比较浅显易懂的方式来介绍半导体物理和器件的基础知识,介绍了微电子制造的基本工艺知识和半导体器件,如IC电阻、二极管、MOSFETs和双极晶体管的工艺流程,也介绍了简单MOS数字集成电路和模拟集成电路的概论、电路分析和版图设计。

AN INTRODUCTION OF MICROELECTRONICS 目录

PrefaceChapter1Introduction1.1HistoryofsemiconductordevicesandICs1.2Moore'sLaw--transistorscaling1.3DieyieldanddiecostReferencesChapter2Semiconductormaterialfundamentals2.1Atomicstructures2.1.1Elementsandelementperiodictable2.1.2Bohr'stheory--orbits2.1.3Distributionofelectrons--valenceelectrons2.1.4Chemicalbonds2.2Crystalstructures2.2.1Generalmaterialstructures2.2.2Crystallography--diamondstructureandzincblendestructure2.2.3Crystallographicnotation2.2.4Bohr'stheory--energylevelandenergyband2.3Energybandtheory2.3.1Insulator,semiconductorandconductor2.3.2Electronsandholes2.3.3Generationandrecombination2.4Dopingofsemiconductors2.4.1Dopingelements2.4.2Doping:n-type2.4.3Doping:p-type2.4.4Counterdoping2.5Carriersdistribution2.5.1FermifunctionandFermilevel2.5.2Densityofstates2.5.3Electronandholeconcentrations2.6Carrierdriftanddiffusion2.6.1Carrierscattering2.6.2Carrierdrift--driftcurrentsandmobility2.6.3Electricfieldandenergybandbending2.6.4Carrierdiffusion--diffusioncurrentsandEinsteinrelationReferencesChapter3Semiconductordevicefundamentals3.1PNjunction3.1.1Formationofdepletionregion3.1.2Built-inpotential3.1.3Distributionofelectricfieldandelectricpotential3.1.4Effectofappliedvoltage3.1.5Depletioncapacitance3.2Metal-semiconductorcontactsandMOScapacitors3.2.1SchottkydiodeandOhmiccontact3.2.2MOScapacitanceandmeasurement3.2.3MOSenergybanddiagram3.2.4Capacitance--voltagecharacteristics3.3MOSFETs3.3.1Current--voltagecharacteristics3.3.2TypesandcircuitsymbolsofMOSFETs3.3.3SwitchmodelofMOSFETs3.4Bipolarjunctiontransistors3.4.1PNjunction--abriefreview3.4.2BJTstructureandcircuitsymbols3.4.3NPNBJToperation--aqualitativeanalysis3.4.4NPNBJToperation--aquantitativeanalysisReferencesChapter4Semiconductorfabricationfundamentals4.1ICfabricationtechniques4.1.1Thinfilmformation4.1.2Photolithographyandetching4.1.3Doping4.2ICresistoranddiodeprocess4.2.1ICresistor--masksandprocesssteps4.2.2Designrules4.2.3Sheetresistance4.2.4LayoutdesignofanICresistor4.2.5Diode--masksandprocesssteps4.3MOSFETprocess4.3.1NMOSFETprocessflowandlayout4.3.2Localoxidationofsilicon4.3.3CMOSnwellprocessflow4.4BJTprocess4.4.1BJTprocesssteps4.4.2LayoutofanNPNBJTICReferencesChapter5Integratedcircuits--conceptsanddesign5.1NMOSdigitalcircuits5.1.1NMOSdigitalcircuitsanalysis--logicandcalculation5.1.2MOSISdesignrulesforNMOSICs5.1.3LayoutsofNMOSlogicfamilies5.2CMOSdigitalcircuits5.2.1CMOSdigitalcircuitsanalysis5.2.2MOSISdesignrulesforCMOSICs5.2.3MOStransistorsinseries/parallelconnection5.2.4CMOSinverter,NORgatesandNANDgates5.2.5Ratioedlogicandcombinationalequivalentcircuit5.2.6Dynamiccircuits5.3MOSanalogcircuits5.3.1MOSFETactiveresistorsandpotentialdividers5.3.2MOSFETcommon-sourcestages5.3.3CMOSpush-pullamplifiers5.3.4MOSFETcurrentmirrors5.3.5MOSFETdifferentialamplifiersReferencesAppendixIPropertiesofsemiconductormaterialsAppendixIISymbolsandconstantAppendixIIIL-EditQuickGuide
展开全部
商品评论(0条)
暂无评论……
书友推荐
编辑推荐
返回顶部
中图网
在线客服