电子枪与离子束技术

本书主要介绍与电子枪、离子源设计有关的基础理论，离子源及离子束应用技术，特别介绍了常用的强流轴向电子枪、偏转电子枪、HCD电子枪与S枪的设计与计算。

1 电子光学
1.1 电子光学特征
1.2 轴对称电场中的电子运动
1.3 电透镜
1.4 磁透镜
1.5 实用磁透镜
1.6 静电透镜与磁透镜的比较
2 电子束技术基础
2.1 电子束的产生及性质
2.2 电子枪概述
2.3 强流电子枪设计基础
2.4 电子束蒸发沉积
3 离子束物理基础
3.1 等离子体基本性质
3.2 等离子体的分类
3.3 等离子体的获得
3.4 低温等离子体中粒子运动和效电基本过程
3.5 离子束与材料表面的相互作用
4 强流轴向电子枪
4.1 概述
4.2 轴向电子枪基本结构和工作原理
4.3 轴向电子束发生系统设计计算
4.4 电子光路系统设计计算
4.5 枪室真空系统设计
4.6 电子枪的调试
4.7 强流轴向枪电源设计
4.8 电子枪X射线的形成与屏蔽防护
5 偏转电子枪
5.1 电子束流磁偏转理论基础
5.2 偏转电子枪工作原理与结构
5.3 偏转枪（e型枪）参数设计
5.4 偏转电子枪束流设计计算
5.5 压差孔的设计
5.6 电子枪头的安装与调试
5.7 偏转电子枪电源
6 空心阴极放电（HCD）电子枪
6.1 空心阴极放电效应
6.2 空心阴极电子枪工作原理
6.3 空心阴极电子枪设计参数
6.4 HCD枪中等离子体的离化率与电流形成
6.5 偏转电磁场的设计计算
6.6 空心阴极与辅助阳极的设计
6.7 离子镀中等离子源的束流偏转
7 离子束技术
7.1 离子源
7.2 离子注入技术
7.3 离子束沉积技术
8 S枪离子溅射源的设计基础
8.1 S枪的基本原理与结构
8.2 S枪溅射源结构设计
8.3 S枪磁控溅射的工作特性
8.4 基本参数的设计计算
参考文献