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碳化硅技术基本原理-生长.表征.器件和应用 版权信息
- ISBN：9787111586807
- 条形码：9787111586807 ; 978-7-111-58680-7
- 装帧：一般胶版纸
- 册数：暂无
- 重量：暂无
- 所属分类：>>
碳化硅技术基本原理-生长.表征.器件和应用 本书特色
本书是一本有关碳化硅材料、器件工艺、器件和应用方面的书籍，其主题包括碳化硅的物理特性、晶体和外延生长、电学和光学性能的表征、扩展缺陷和点缺陷，器件工艺、功率整流器和开关器件的设计理念，单／双极型器件的物理和特征、击穿现象、高频和高温器件，以及碳化硅器件的系统应用，涵盖了基本概念和新发展现状，并针对每个主题做深入的阐释，包括基本的物理特性、新的理解、尚未解决的问题和未来的挑战。
碳化硅技术基本原理-生长.表征.器件和应用 内容简介
本书作者在碳化硅研发领域有着总共45年以上的经历，是当今碳化硅研发和功率半导体领域中的领军人物。通过两位专家的执笔，全景般展示了碳化硅领域的知识和进展。目前，随着碳化硅基功率器件进入实用化阶段，本书的翻译出版对于大量已经进入和正在进入该行业，急需了解掌握该行业但不谙英语的专业人士是一本难得的专业书籍。
本书可以作为从事碳化硅电力电子材料、功率器件及其应用方面专业技术人员的参考书，也可以作为高等学校微电子学与固体物理学专业高年级本科生、研究生的教学用书或参考书。同时,该书对于在诸如电力供应、换流器-逆变器设计、电动汽车、高温电子学、传感器和智能电网技术等方面的设计工程师、应用工程师和产品经理也是有益的。
碳化硅技术基本原理-生长.表征.器件和应用 目录
译者序
原书前言
原书作者简介
第１章 导论１
１.１ 电子学的进展１
１.２ 碳化硅的特性和简史３
１.２.１ 早期历史３
１.２.２ ＳｉＣ晶体生长的革新４
１.２.３ ＳｉＣ功率器件的前景和展示５
１.３ 本书提纲６ 参考文献７
第２章 碳化硅的物理性质１０
第３章 碳化硅晶体生长３６
第４章 碳化硅外延生长７０
第５章 碳化硅的缺陷及表征技术１１７
第６章 碳化硅器件工艺１７7
第７章 单极型和双极型功率二极管２６２
第８章 单极型功率开关器件２８6
第９章 双极型功率开关器件３３６
９.１ 双极结型晶体管（ＢＪＴ） ３３６
９.１.１ 内部电流３３７
９.１.２ 增益参数３３８
９.１.３ 端电流３４０
９.１.４ 电流－电压关系３４１
９.１.５ 集电区中的大电流效应：饱和和准饱和３４３
９.１.６ 基区中的大电流效应：Ｒｉｔｔｎｅｒ效应３４７
９.１.７ 集电区的大电流效应：二次击穿和基区扩散效应３５１
９.１.８ 共发射极电流增益：温度特性３５３
９.１.９ 共发射极电流增益：复合效应３５３
９.１.１０ 阻断电压３５５
９.２ 绝缘栅双极型晶体管（ＩＧＢＴ） ３５６
９.２.１ 电流－电压关系３５７
９.２.２ 阻断电压３６７
９.２.３ 开关特性３６８
９.２.４ 器件参数的温度特性３７３
９.３ 晶闸管３７５
９.３.１ 正向导通模式３７７
９.３.２ 正向阻断模式和触发３８１
９.３.３ 开通过程３８６
９.３.４ ｄＶ／ｄｔ触发３８８
９.３.５ ｄＩ／ｄｔ的限制３８９
９.３.６ 关断过程３９０
９.３.７ 反向阻断模式３９７
参考文献３９７
第１０章 功率器件的优化和比较３９８
第１１章 碳化硅器件在电力系统中的应用４２５
第１２章 专用碳化硅器件及应用４６６
附录４９０
附录Ａ ４Ｈ－ＳｉＣ中的不完全杂质电离４９０
参考文献４９４
附录Ｂ 双曲函数的性质４９４
附录Ｃ 常见ＳｉＣ多型体主要物理性质４９７
Ｃ.１ 性质４９７
Ｃ.２ 主要物理性质的温度和／或掺杂特性４９８
参考文献４９９
原书前言
原书作者简介
第１章 导论１
１.１ 电子学的进展１
１.２ 碳化硅的特性和简史３
１.２.１ 早期历史３
１.２.２ ＳｉＣ晶体生长的革新４
１.２.３ ＳｉＣ功率器件的前景和展示５
１.３ 本书提纲６ 参考文献７
第２章 碳化硅的物理性质１０
第３章 碳化硅晶体生长３６
第４章 碳化硅外延生长７０
第５章 碳化硅的缺陷及表征技术１１７
第６章 碳化硅器件工艺１７7
第７章 单极型和双极型功率二极管２６２
第８章 单极型功率开关器件２８6
第９章 双极型功率开关器件３３６
９.１ 双极结型晶体管（ＢＪＴ） ３３６
９.１.１ 内部电流３３７
９.１.２ 增益参数３３８
９.１.３ 端电流３４０
９.１.４ 电流－电压关系３４１
９.１.５ 集电区中的大电流效应：饱和和准饱和３４３
９.１.６ 基区中的大电流效应：Ｒｉｔｔｎｅｒ效应３４７
９.１.７ 集电区的大电流效应：二次击穿和基区扩散效应３５１
９.１.８ 共发射极电流增益：温度特性３５３
９.１.９ 共发射极电流增益：复合效应３５３
９.１.１０ 阻断电压３５５
９.２ 绝缘栅双极型晶体管（ＩＧＢＴ） ３５６
９.２.１ 电流－电压关系３５７
９.２.２ 阻断电压３６７
９.２.３ 开关特性３６８
９.２.４ 器件参数的温度特性３７３
９.３ 晶闸管３７５
９.３.１ 正向导通模式３７７
９.３.２ 正向阻断模式和触发３８１
９.３.３ 开通过程３８６
９.３.４ ｄＶ／ｄｔ触发３８８
９.３.５ ｄＩ／ｄｔ的限制３８９
９.３.６ 关断过程３９０
９.３.７ 反向阻断模式３９７
参考文献３９７
第１０章 功率器件的优化和比较３９８
第１１章 碳化硅器件在电力系统中的应用４２５
第１２章 专用碳化硅器件及应用４６６
附录４９０
附录Ａ ４Ｈ－ＳｉＣ中的不完全杂质电离４９０
参考文献４９４
附录Ｂ 双曲函数的性质４９４
附录Ｃ 常见ＳｉＣ多型体主要物理性质４９７
Ｃ.１ 性质４９７
Ｃ.２ 主要物理性质的温度和／或掺杂特性４９８
参考文献４９９
展开全部
碳化硅技术基本原理-生长.表征.器件和应用 作者简介
本书的作者ＴｓｕｎｅｎｏｂｕＫｉｍｏｔｏ是京都大学电子科学与工程系的一名教授，长期
从事碳化硅材料、表征、器件工艺以及功率器件等方面的研究，是日本碳化硅界的
领军人物，在碳化硅的外延生长、光学和电学特性表征、缺陷电子学、离子注入、
金属－氧化物－半导体（ＭＯＳ） 物理和高电压器件等方面均有建树。
而另一位作
者，美国普渡大学电气与计算机工程学院的ＪａｍｅｓＡＣｏｏｐｅｒ则是一位半导体界的元
老级人物，他在ＭＯＳ器件、ＩＣ及包括硅和碳化硅在内的功率器件方面都有研究和
建树，特别是碳化硅基ＵＭＯＳＦＥＴ、肖特基二极管、ＵＭＯＳＦＥＴ、横向ＤＭＯＳＦＥＴ、
ＢＪＴ和ＩＧＢＴ等的开发做出了突出贡献。
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