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晶圆级3D IC工艺技术

晶圆级3D IC工艺技术

出版社:中国宇航出版社出版时间:2016-10-01
开本: 22cm 页数: 443
本类榜单:工业技术销量榜
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晶圆级3D IC工艺技术 版权信息

  • ISBN:9787515912035
  • 条形码:9787515912035 ; 978-7-5159-1203-5
  • 装帧:一般胶版纸
  • 册数:暂无
  • 重量:暂无
  • 所属分类:>

晶圆级3D IC工艺技术 内容简介

本书是一部系统论述3D集成工艺技术的译著,内容涵盖前端工艺至后端工艺,详细介绍了各种3D集成技术的适用范围和局限性,列举了相关工艺的典型应用和潜在应用,并指出了这些关键工艺中存在的问题与挑战。本书适合从事立体集成、集成电路/微系统、先进封装技术研究的工程技术人员以及管理人员阅读和使用,同时也可作为高等院校相关专业师生的参考教材。

晶圆级3D IC工艺技术 目录

第1章 晶圆级3D IC综述1.1 背景及引言1.2 动机——超越摩尔定律的方法1.2.1 互连瓶颈1.2.2 芯片面积1.2.3 异质集成1.2.4 堆叠式CMOS1.3 3D IC的分类1.3.1 单片集成方式1.3.2 组装方式1.3.3 晶圆级3D设计机遇1.4 本书的构成参考文献第2章 单片3D集成电路2.1 引言2.2 上层采用大颗粒多晶硅的3D电路2.2.1 上层多晶硅再结晶技术2.2.2 3D逻辑电路制作工艺分类2.3 采用小晶粒多晶硅层的3D电路2.3.1 SRAM2.3.2 非易失性存储器:交叉点存储器2.3.3 非易失性存储器:TFT-SONOS2.4 非硅单片3D集成电路2.5 小结参考文献第3章 堆叠式CMOS技术3.1 堆叠式CMOS结构3.2 堆叠式CMOS器件设计及工艺3.2.1 逐层加工工艺3.2.2 多层同步加工工艺3.2.3 版图问题3.3 基于SOI晶圆顶层硅和衬底的堆叠式CMOS3.4 堆叠FinCMOS技术3.5 小结参考文献第4章 用于3D IC的晶圆级键合技术4.1 引言4.2 晶圆级键合设备概述4.3 表面预处理4.3.1 表面预处理——湿法化学处理4.3.2 表面预处理——等离子体活化4.3.3 表面预处理——等离子体与湿法化学组合工艺4.3.4 表面预处理——蒸汽清洗4.4 键合对准机——设备工作原理4.5 对准策略4.6 晶圆传送夹具4.7 晶圆级键合技术4.8 用于3D集成的晶圆级键合技术4.8.1 硅-硅直接键合4.8.2 BCB键合4.8.3 铜-铜扩散键合…… 第5章 TSV加工、背面减薄及载片技术第6章 用于3D IC的晶圆级铜键合技术第7章 铜-锌固液扩散键合第8章 基于SOI的3D电路集成技术第9章 高性能CMOS 3D制作技术第10章 基于绝缘层黏附键合的3D集成第11章 直接复合键合第12章 3D存储器第13章 3D集成电路架构第14章 3D IC的热挑战第15章 现状及展望
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晶圆级3D IC工艺技术 作者简介

1单光宝,男,博士生导师,研究员,现为航天九院第二届杰出青年、航天771所TSV立体集成技术负责人。先后承担了基础科研、自然科学基金重点项目、973子课题等多项*重点TSV立体集成项目,研制出国内首个辐射加固4层堆叠TSV SRAM样品,推动军用存储器由平面集成向立体集成的跨越发展。近年来,发表学术论文30余篇,申请TSV相关发明专利17项,6项已获授权。2吴龙胜,总师/研究员,安徽安庆,享受国务院特殊津贴,现为航天科技集团公司学科带头人、核高基总体组专家,从事集成电路、3D-IC设计工作。近年来,发表学术论文40余篇。3刘松,男,博士,陕西西安人,1988年8月出生。主要从事3D IC电学、热机械应力可靠性研究。近年来,近年来,发表学术论文近10篇,申请TSV相关发明专利近10项。

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