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功率半导体器件与应用

功率半导体器件与应用

作者:林德
出版社:机械工业出版社出版时间:2016-05-01
开本: 16开 页数: 183
本类榜单:工业技术销量榜
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功率半导体器件与应用 版权信息

功率半导体器件与应用 本书特色

功率半导体器件又被称为电力电子器件,是电力电子技术的基础,也是构成电力电子变换装置的核心器件。《功率半导体器件与应用》基于前两章的半导体物理基础,详细介绍了目前主要的几类功率半导体器件,包括pin二极管、晶闸管、门极关断晶闸管、门极换流晶闸管、功率场效应晶体管和绝缘栅双极型晶体管。作为基础内容,《功率半导体器件与应用》详细描述了上述器件的工作原理和特性。同时,作为长期从事新型功率半导体器件研发的国际知名专家,作者斯蒂芬•林德(stefan linder)还给出了上述各类器件在不同工作条件下的比较分析,力图全面反映功率半导体器件的应用现状和发展趋势。《功率半导体器件与应用》既可以作为电气工程专业、自动化专业本科生和研究生的教学用书,也可作为电力电子领域工程技术人员的参考用书。  

功率半导体器件与应用 内容简介

《功率半导体器件与应用》是abb公司研发副总裁、国际知名的电力电子专家斯蒂芬•林德(stefan linder)博士的心血力作,由国内清华大学肖曦教授组织翻译,内容经典实用,值得每位从事电力电子研发设计人员深读细读!    

功率半导体器件与应用 目录

目  录译者序原书前言第1章半导体物理基础11.1硅的结构和特性11.2电荷迁移111.3载流子注入171.4电荷载流子的激发和复合171.5连续性方程241.6泊松方程251.7强场效应26第2章pn结292.1pn结的内建电压292.2耗尽层(空间电荷区)322.3pn结的伏安特性342.4射极效率402.5实际的pn结42第3章pin二极管503.1高压二极管的基本结构503.2pin二极管的导通状态513.3pin二极管的动态工况593.4 二极管反向恢复的瞬变过程673.5二极管工作条件的限制703.6现代pin二极管的设计72第4章双极型晶体管774.1双极型晶体管的结构774.2双极型晶体管的电流增益784.3双极型晶体管的电流击穿834.4正向导通压降854.5基极推出(“柯克”效应)854.6二次击穿87第5章晶闸管895.1晶闸管的结构和工作原理895.2触发条件915.3静态伏安特性915.4正向阻断模式和亚稳态区域925.5晶闸管擎住状态955.6反向阻断状态下的晶闸管985.7开通特性1005.8关断特性106第6章门极关断(gto)晶闸管与门极换流晶闸管(gct)/集成门极换流晶闸管(igct)1106.1gto晶闸管1106.2gct125第7章功率mosfet1307.1场效应晶体管基本理论1307.2场效应晶体管的i(v)特性1367.3功率场效应晶体管的结构1397.4功率场效应晶体管的开关特性1487.5雪崩效应1537.6源极漏极二极管(体二极管)155第8章igbt1568.1igbt的结构和工作原理1568.2igbt的i(v)特性1588.3igbt的开关特性1628.4短路特性1688.5igbt的强度1688.6igbt损耗的折中方案171附录176附录a符号表176附录b常数177附录c单位177附录d单位词头(十进倍数和分数单位词头)178附录e书写约定178附录f电气工程中的电路图形符号179附录g300k时的物质特性180附录h缩略语180参考文献181  
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功率半导体器件与应用 作者简介

斯蒂芬•林德(Stefan Linder)1965年出生于瑞士日内瓦,1990年在瑞士联邦工学院(EHT)完成了电气工程的本科教育。他在美国工作一段时间后,于1991年回到瑞士苏黎世,在联邦工学院开始从事研究生的研究工作。他在1996年获得博士学位后不久加入了ABB公司,成为功率半导体事业部的研发工程师。在ABB公司,他主要负责门极换流晶闸管(IGCT)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的设计和开发工作。从2000年1月开始,林德博士开始担任ABB公司研究开发副总裁。  

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