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ESD物理与器件 版权信息
- ISBN：9787111471394
- 条形码：9787111471394 ; 978-7-111-47139-4
- 装帧：一般胶版纸
- 册数：暂无
- 重量：暂无
- 所属分类：>
ESD物理与器件 本书特色
本书系统地介绍了静电放电（esd）物理理论及器件设计，并给出了大量实例，将esd理论工程化。本书主要内容有：esd中的静电及热电物理学理论及模型，esd用半导体器件物理及结构，esd中衬底、阱、隔离结构，电介质、互连及soi等相关技术及应用。 本书为作者的esd系列专著的**本，对于专业模拟集成电路及射频集成电路设计工程师，以及系统esd工程师具有较高的参考价值。本书可以作为电路设计、工艺、质量、可靠性和误差分析工程师的工具书，也可以作为电子科学与技术、微电子科学与工程和集成电路设计，尤其是模拟集成电路设计及射频集成电路设计专业高年级本科生及研究生的参考书。
ESD物理与器件 内容简介
本书系统地介绍了静电放电（ESD）物理理论及器件设计，并给出了大量实例，将ESD理论工程化。本书主要内容有：ESD中的静电及热电物理学理论及模型，ESD用半导体器件物理及结构，ESD中衬底、阱、隔离结构，电介质、互连及SOI等相关技术及应用。 本书为作者的ESD系列专著的**本，对于专业模拟集成电路及射频集成电路设计工程师，以及系统ESD工程师具有较高的参考价值。本书可以作为电路设计、工艺、质量、可靠性和误差分析工程师的工具书，也可以作为电子科学与技术、微电子科学与工程和集成电路设计，尤其是模拟集成电路设计及射频集成电路设计专业高年级本科生及研究生的参考书。
ESD物理与器件 目录
作者简介译者序前言致谢第1章 静电和热电物理学 1.1 引言 1.2 时间常数法 1.2.1 esd时间常数 1.2.2 时间常数的层次结构 1.2.3 热学时间常数 1.2.4 热扩散 1.2.5 绝热、热扩散的时间尺度和稳定状态 1.2.6 电准静态场和磁准静态场 1.3 不稳定性 1.3.1 电气不稳定性 1.3.2 热电不稳定性 1.3.3 空间不稳定性与电流收缩 1.4 击穿 1.4.1 帕邢击穿理论 1.4.2 汤森理论 1.4.3 托普勒定律 1.5 雪崩击穿 1.5.1 空气击穿 1.5.2 空气击穿和峰值电流 1.5.3 空气击穿和上升时间 1.5.4 中等离子体和微等离子体 1.5.5 中等离子体现象 习题 参考文献第2章 热电方法和esd模型 2.1 热电方法 2.1.1 格林函数和镜像方法 2.1.2 热传导方程的积分变换 2.1.3 流势传递关系矩阵方法学 2.1.4 可变热导率热方程 2.1.5 duhamel公式 2.2 电热模型 2.2.1 tasca模型 2.2.2 wunsch-bell模型 2.2.3 smith-littau 模型 2.2.4 arkhipov-astvatsaturyan-godovosyn-rudenko模型 2.2.5 vlasov-sinkevitch模型 2.2.6 dwyer-franklin-campbell模型 2.2.7 greve模型 2.2.8 负微分电阻模型 2.2.9 ash模型 2.2.10 统计模型 习题 参考文献第3章 半导体器件和esd 3.1 器件物理 3.1.1 非等温仿真 3.2 二极管 3.2.1 二极管方程 3.2.2 复合和产生机制 3.3 双极型大电流器件的物理 3.3.1 双极型晶体管特性方程 3.3.2 基区扩展效应（kirk effect） 3.3.3 johnson 限制 3.4 晶闸管 3.4.1 再生反馈 3.5 电阻 3.6 mosfet大电流器件物理 3.6.1 寄生双极型晶体管方程 3.6.2 雪崩击穿和恢复 3.6.3 不稳定和电流约束模型 3.6.4 介质击穿 3.6.5 栅致漏电（gidl） 习题 参考文献第4章 衬底和esd 4.1 衬底分析方法 4.2 视作半无限域的衬底 4.3 采用传输矩阵方法表征层状介质的衬底 4.4 衬底传输线模型 4.5 衬底损耗的传输线模型 4.6 衬底吸收、反射和传输 4.7 衬底电气和温度离散化 4.8 衬底效应：电气传输阻抗 4.9 衬底效应：热传输阻抗 4.10 衬底温度阻抗模型 4.10.1 可变横截面模型 4.10.2 可变椭圆横截面模型 4.10.3 背面衬底集总分析模型 4.11 重掺杂衬底 4.12 轻掺杂衬底 习题 参考文献第5章 阱、衬底集电极和esd 5.1 扩散阱 5.2 倒阱及纵向调制的阱 5.2.1 倒阱 5.2.2 倒阱衬底调制 5.2.3 倒阱及esd缩放 5.3 三阱及隔离的 5.4 整流电阻 5.5 衬底集电极 习题 参考文献第6章 隔离结构和esd 6.1 隔离结构 6.1.1 局部氧化（locos）隔离 6.1.2 局部氧化（locos）界esd结构 6.2 浅沟隔离 6.2.1 浅沟隔离下拉 6.2.2 浅沟隔离界esd结构 6.3 深沟隔离 6.3.1 深沟保护环结构 6.3.2 深沟及闩锁 6.3.3 深沟及esd结构 习题 参考文献第7章 漏工程、自对准硅化物与esd 7.1 结 7.1.1 突变结 7.1.2 低掺杂漏 7.1.3 扩展注入 7.2 自对准硅化物及esd 7.2.1 自对准硅化物电阻模型 7.2.2 硅化钛 7.2.3 钛、钼金属硅化物 7.2.4 硅化钴 习题 参考文献第8章 电介质与esd 8.1 fong和hu模型 8.2 lin模型 8.3 击穿电荷 8.4 临界介质厚度 8.5 esd脉冲事件与击穿电荷介电模型 8.6 瞬时脉冲事件与击穿电荷介电模型 8.7 超薄介质 习题 参考文献第9章 互连和esd 9.1 铝互连 9.2 铜互连 9.2.1 铜通孔 9.3 低k材料和互连 9.4 抛光终止和互连 9.5 填充物和互连 9.6 铜薄膜应力和电迁移 9.7 互连故障和空洞 9.8 绝缘结构机械应力 习题 参考文献第10章 绝缘体上硅（soi）与esd 10.1 soi的电热模型 10.1.1 soi电热传输线模型 10.1.2 soi电热传输线模型级数解 10.2 soi esd二极管及元件 10.2.1 突变结工艺 10.2.2 外延注入工艺 10.2.3 halo注入技术 10.3 soi的互连线 10.3.1 铝互连线 10.3.2 soi和铜互连 10.3.3 等比例缩放 10.4 非主流器件 10.4.1 双衬底掺杂的soi二极管 10.4.2 栅金属未覆盖soi二极管结构 10.5 soi动态阈值mosfet与 10.5.1 soi动态阈值的esd结构 10.6 未来的soi及esd 习题 参考文献第11章 硅锗与esd 11.1 si-ge 11.1.1 sige结构 11.1.2 sige器件物理 11.2 sige esd测试 11.2.1 sige与si的比较 11.2.2 sige电热模拟：集电极-发射极 11.2.3 sige发射器-发射极-基极 11.3 si-ge-c 11.3.1 si-ge-c器件物理 11.4 si-ge-c esd测试 11.4.1 sigec集电极-发射极测试 11.4.2 sigec器件退化 习题 参考文献第12章 微结构与esd 12.1 finfet（鳍式晶体管） 12.2 应变硅器件与esd 12.3 纳米管与esd 12.4 未来新器件 习题 参考文献
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ESD物理与器件 作者简介
StevenH．Voldman博士由于在CMOS、SOI和SiGe工艺下的静电放电(ESD)保护方面所作出的贡献，而成为了ESD领域的第一位IEEEFellow。他于1979年在布法罗大学获得了工程学学士学位；并于1981年在麻省理工学院(MIT)获得了电子工程方向的硕士学位；以后又在MIT获得第二个电子工程学位(工程硕士学位)；1986年他在IBM的驻地研究员计划下从佛蒙特大学获得了工程物理学硕士学位，并于1991年从该校获得了电子工程的博士学位。他作为IBM开发团队的一员已有25年的历史，主要致力于半导体器件物理、器件设计和可靠性[如软失效率(SER)、热电子、漏电机制、闩锁和ESD]的研究工作。Voldman博士参与到闩锁技术的研发已有27年之久。他的工作主要针对用于双极型SRAM、CMOSDRAM、CMOS逻辑、SOI、BiCMOS、SiGe、RFCMOS、RFSOI、智能电源和图像处理技术中的工艺和电路设计的研究。在2008年，他成为了奇梦达DRAM开发团队的一员，从事70nm、58nm和48nmCMOS工艺的研究。同年，他成立了一个有限责任公司，并作为台积电45mnESD和闩锁开发团队的一部分在其总部中国台湾新竹工作。目前他作为ESD和闩锁研发的高级首席工程师效力于Intersil公司。
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