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纳米CMOS电路和物理设计

出版社:机械工业出版社出版时间:2011-04-01
开本: 其它 页数: 345
本类榜单:工业技术销量榜
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纳米CMOS电路和物理设计 版权信息

纳米CMOS电路和物理设计 内容简介

  本书将纳米工艺、器件可制造性、先进电路设计和相关物理实现等内容整合到一起,形成了一套先进的半导体技术,探讨了器件和工艺的新发展,提供了设计考虑,重点关注了技术与设计的相互影响,并且描述了可制造性设计和波动性的影响。重要的主题包括纳米cmos工艺缩小问题及其对设计的影响;亚波长光刻;运行问题的物理与理论以及解决方案;可制造性设计和波动性。

纳米CMOS电路和物理设计 目录

译者的话
原书序
原书前言
第1章 纳米cmos?缩小问题及内涵
 1.1 纳米cmos时代的设计方法
 1.2使得性能改善得到延续所必需的创新
 1.3 sub.100nm缩小的挑战和亚波长光刻综述
  1.3.1后道工艺的挑战(金属化) 
  1.3.2前道工艺的挑战(晶体管)
 1.4工艺控制和可靠性
 1.5 光刻问题和掩膜数据爆炸
 1.6 新型的电路和物理设计工程师
 1.7建模的挑战
 1.8 变革设计方法的需要
 1.9 总结
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