半导体物理学-(第6版)

半导体物理学-(第6版) 内容简介

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本书较全面地论述了半导体物理的基础知识。全书共13章，主要内容为：半导体的晶格结构和电子状态；杂质和缺陷能级；载流子的统计分布；载流子的散射及电导问题；非平衡载流子的产生、复合及其运动规律；半导体的表面和界面——包括pn结、金属半导体接触、半导体表面及MIS结构、半导体异质结；半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶半导体。
本书可作为工科电子信息类微电子技术、半导体器件专业学生的教材，也可供从事相关专业的科技人员参考。

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32.3 元（3星会员价）

主要参数符号表
第1章半导体中的电子状态
1.1 半导体的晶格结构和结合性质
1.1.1 金刚石型结构和共价键 
1.1.2 闪锌矿型结构和混合键
1.1.3 纤锌矿型结构
1.2 半导体中的电子状态和能带
1.2.1 原子的能级和晶体的能带
1.2.2 半导体中电子的状态和能带
1.2.3 导体、半导体、绝缘体的能带
1.3 半导体中电子的运动有效质量
1.3.1 半导体中E(k)与k的关系
1.3.2 半导体中电子的平均速度
1.3.3 半导体中电子的加速度
1.3.4 有效质量的意义
1.4 本征半导体的导电机构空穴
1.5 回旋共振
1.5.1 k空间等能面
1.5.2 回旋共振
1.6 硅和锗的能带结构
1.6.1 硅和锗的导带结构
1.6.2 硅和锗的价带结构
1.7 ⅢⅤ族化合物半导体的能带结构
1.7.1 锑化铟的能带结构
1.7.2 砷化镓的能带结构
1.7.3 磷化镓和磷化铟的能带结构
1.7.4 混合晶体的能带结构
1.8 ⅡⅥ族化合物半导体的能带结构
1.8.1 二元化合物的能带结构
1.8.2 混合晶体的能带结构
1.9 Si1-x Ge x合金的能带
1.10 宽禁带半导体材料
1.10.1 SiC的晶格结构与能带
1.10.2 GaN，AIN的晶格结构与能带
习题
参考资料
第2章半导体中杂质和缺陷能级
2.1 硅、锗晶体中的杂质能级
2.1.1 替位式杂质间隙式杂质
2.1.2 施主杂质、施主能级
2.1.3 受主杂质、受主能级
2.1.4 浅能级杂质电离能的简单计算
2.1.5 杂质的补偿作用
2.1.6 深能级杂质
2.2 ⅢⅤ族化合物中的杂质能级
2.3 缺陷、位错能级
2.3.1 点缺陷
2.3.2 位错
习题
参考资料
第3章半导体中载流子的统计分布
3.1 状态密度
3.1.1 k空间中量子态的分布
3.1.2 状态密度
3.2 费米能级和载流子的统计分布
3.2.1 费米分布函数
3.2.2 玻耳兹曼分布函数
3.2.3 导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度
3.2.4 载流子浓度乘积n0p0
3.3 本征半导体的载流子浓度
3.4 杂质半导体的载流子浓度
3.4.1 杂质能级上的电子和空穴
3.4.2 n型半导体的载流子浓度
3.5 一般情况下的载流子统计分布
3.6 简并半导体
3.6.1 简并半导体的载流子浓度
3.6.2 简并化条件
3.6.3 低温载流子冻析效应
3.6.4 禁带变窄效应
*3.7 电子占据杂质能级的概率
3.7.1 求解统计分布函数
习题
参考资料
第4章半导体的导电性
第5章非平衡载流子
第6章 pn结
第7章金属和半导体的接触
第8章半导体表面与MIS结构
第9章半导体异质结构
第10章半导体的光学性质和光电与发光现象
第11章半导体的热电性质
第12章半导体磁和压阻效应
第13章非晶态半导体
附录A 常用物理常数和能量表达变换表
附录B 半导体材料物理性质表
参考文献